Мемристори съхранява информация, при липса на захранване и извършва обработка на данни, съобщава списание Nature. Теорията за мемристор започва още от 1971 година, а неин автор е професор Леон Чуа от Калифорнийкия университет. Първият работен образец обаче е създаден едва през 2008 година в лаборатория на HP.

Мемристорите работят на принципа на невроните в човешкия мозък. Образецът, създаден от екип под ръководството на Стан Уилямс, използва химическа реакция в двуслоен филм от титанов двуокис, като единият от слоевете е обеднен на кислород. Под въздействие на електрическо напрежение, приложено към устройството, кислородните отвори мигрират, променяйки границите на слоевете с високо и ниско съпротивление. Това позволява мемристорът да бъде използван като клетка памет. Според учените, в скоро време мемристорите могат да заменят транзисторите. В частност, те биха намерили приложение като алтернатива на флаш паметите и оперативната памет.

Леон Чуа обяснява, че системите с мемристори ще функционират подобно на биологичен мозък. "Сега имаме елемент за създаване на изкуствен мозък", казва изобретателят, цитиран от CNET News. За две години от създаването на първия образец на мемристор, екипът на Стан Уилямс е напреднал значително в неговото използване. Скоростта на работа вече е сравнима с тази на силициевите транзистори.

Учените са провели успешни тестове на мемристори в лабораторията на HP, които доказват, че новият елемент може да съхранява голям обем информация. "В следващите три години ще станем по-добри от конкурентите. Смятаме, че технологията на мемристорите има потенциал за развитие за много дълго дълъг период", твърди Уилямс. След три години HP ще може да представи реален конкурент на флаш паметта, като използва мемристора.

Новата памет ще има два пъти по-голям капацитет за съхранение на един квадратен сантиметър.