Новите чипове ще се използват в карти памет SD и като вградени решения, например в смартфони, съобщи производителят. Технологичният пробив се случва една година след като Samsung усвои 30-нанометровото производство на памети.

Новата NAND превъзхожда изискванията на потребителите към момента, отбелязва вицепрезидентът на компанията Су Ин Чо. Производителността на 20-нм чипове е с 50% по-висока от тази NAND Flash паметите от предишно поколение. По новата технология ще се създават SD карти памет, които ще осигурят четене на данни със скорост до 20 MB/s и запис с 10 MB/s.

Флаш паметта (и двата типа NOR и NAND) са разработени от д-р Фуджио Масуока през 1980 г. за Toshiba. NAND моделът позволява да се трие и пише по-бързо, работи с по-малка площ на чипа, което пък позволява по-голяма гъстота на записа и по-ниски разходи, отколкото NOR флаш.

Първата NAND базирана флаш памет SmartMedia (1995 г.), както и подобните на нея MultiMediaCard, Secure Digital, Memory Stick и xD-Picture Card. Второто поколение флаш памети са: RS-MMC, miniSD и microSD, и I-Stick.