Samsung първи пуска 20-нм флаш памет
Южнокорейската компания Samsung първа в света разработи технология за производство на 20-нм памет от типа NAND. Първите такива продукти ще станат факт още през настоящата година, пише TechNews.bg.
Новата NAND превъзхожда изискванията на потребителите към момента, отбелязва вицепрезидентът на компанията Су Ин Чо. Производителността на 20-нм чипове е с 50% по-висока от тази NAND Flash паметите от предишно поколение. По новата технология ще се създават SD карти памет, които ще осигурят четене на данни със скорост до 20 MB/s и запис с 10 MB/s.
Флаш паметта (и двата типа NOR и NAND) са разработени от д-р Фуджио Масуока през 1980 г. за Toshiba. NAND моделът позволява да се трие и пише по-бързо, работи с по-малка площ на чипа, което пък позволява по-голяма гъстота на записа и по-ниски разходи, отколкото NOR флаш.
Първата NAND базирана флаш памет SmartMedia (1995 г.), както и подобните на нея MultiMediaCard, Secure Digital, Memory Stick и xD-Picture Card. Второто поколение флаш памети са: RS-MMC, miniSD и microSD, и I-Stick.